BINDING AND FORMATION ENERGIES OF NATIVE DEFECT PAIRS IN GAAS - REPLY

被引：3

作者：

BARAFF, GA

SCHLUTER, M

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.39.8006

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：8006 / 8006

页数：1

共 5 条

[1] BINDING AND FORMATION ENERGIES OF NATIVE DEFECT PAIRS IN GAAS [J].

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