RESONANT TUNNELING DEVICES WITH MULTIPLE NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE AND DEMONSTRATION OF A 3-STATE MEMORY CELL FOR MULTIPLE-VALUED LOGIC APPLICATIONS

被引:59
作者
CAPASSO, F
SEN, S
CHO, AY
SIVCO, D
机构
关键词
D O I
10.1109/EDL.1987.26637
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:297 / 299
页数:3
相关论文
共 18 条