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PRECIPITATION OF OXYGEN IN SILICON - SOME PHENOMENA AND A NUCLEATION MODEL

被引：80
作者：
HU, SM
机构：
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1981年 / 52卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1063/1.329204
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：3974 / 3984
页数：11
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