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ROOM-TEMPERATURE PHOTOMAGNETOELECTRIC AND PHOTOCONDUCTIVE EFFECTS IN AU-DOPED SILICON
被引:8
作者
:
LI, SS
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LI, SS
TSENG, HF
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TSENG, HF
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE
|
1971年
/ 4卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRevB.4.490
中图分类号
:
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
:
070205 ;
摘要
:
引用
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页码:490 / &
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RECOMBINATION PROPERTIES OF GOLD ACCEPTOR LEVEL IN SILICON USING IMPURITY PHOTOVOLTAIC EFFECT
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PHYSICAL REVIEW LETTERS,
1967,
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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
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RECOMBINATION PROPERTIES OF GOLD ACCEPTOR LEVEL IN SILICON USING IMPURITY PHOTOVOLTAIC EFFECT
[J].
SAH, CT
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SAH, CT
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PHYSICAL REVIEW LETTERS,
1967,
19
(02)
:71
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[12]
SAH CT, 1967, PHYS REV LETTERS, V19, P2
[13]
DIFFUSION OF GOLD INTO SILICON CRYSTALS
[J].
SPROKEL, GJ
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FAIRFIELD, JM
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FAIRFIELD, JM
.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1965,
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:200
-+
[14]
SOLUBILITY AND DIFFUSIVITY OF GOLD, IRON, AND COPPER IN SILICON
[J].
STRUTHERS, JD
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STRUTHERS, JD
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1956,
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(12)
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-1560
[15]
GOLD IN SILICON - EFFECT ON RESISTIVITY AND DIFFUSION IN HEAVILY-DOPED LAYERS
[J].
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;
FORBES, DH
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FORBES, DH
.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
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