PULSED ION-BEAM IRRADIATION OF SILICON

被引：16

作者：

CHU, WK

MADER, SR

GOREY, EF

BAGLIN, JEE

HODGSON, RT

NERI, JM

HAMMER, DA

机构：

[1] IBM CORP,DIV GEN TECHNOL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

[2] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

[3] CORNELL UNIV,PLASMA STUDIES LAB,ITHACA,NY 14853

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH | 1982年 / 194卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(82)90561-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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