EXPERIMENTAL EVALUATION OF HIGH ENERGY ION IMPLANTATION GRADIENTS FOR POSSIBLE FABRICATION OF A TRANSISTOR PEDESTAL COLLECTOR

被引：24

作者：

ZIEGLER, JF

CROWDER, BL

KLEINFELDER, WJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1147/rd.156.0452

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：452 / +

页数：1

共 7 条

CROWDER, BL ;

FAIRFIELD, JM .

[2] RANGE OF IMPLANTED BORON, PHOSPHORUS, AND ARSENIC IN SILICON [J].

DAVIES, DE .

DAVIES, JA ;

ERIKSSON, L ;

MAYER, JW .

MAYER, JW ;

MARSH, OJ ;

SHIFRIN, GA ;

BARON, R .

[5] SEMICONDUCTOR DOPING BY HIGH ENERGY 1-2.5 MEV ION IMPLANTATION [J].

ROOSILD, S ;

DOLAN, R ;

BUCHANAN, B .

[6]

YU HN, Patent No. 3312881

[7]

YU HN, 1971, Patent No. 27045