ISOLATED ARSENIC-ANTISITE DEFECT IN GAAS AND THE PROPERTIES OF EL2

被引:166
作者
DABROWSKI, J
SCHEFFLER, M
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 40卷 / 15期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.40.10391
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:10391 / 10401
页数:11
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