ANNEALING OF SI3N4-CAPPED ION-IMPLANTED INP

被引:15
作者
GILL, SS
SEALY, BJ
TOPHAM, PJ
BARRETT, NJ
STEPHENS, KG
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19810437
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:623 / 624
页数:2
相关论文
共 4 条