ANNEALING OF SI3N4-CAPPED ION-IMPLANTED INP

被引：15

作者：

GILL, SS

SEALY, BJ

TOPHAM, PJ

BARRETT, NJ

STEPHENS, KG

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810437

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：623 / 624

页数：2

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