ENERGY-GAP IN SI AND GE - IMPURITY DEPENDENCE - COMMENT

被引：17

作者：

STERNE, PA

INKSON, JC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.328592

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：6432 / 6433

页数：2

共 7 条

[1] HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS AND DEVICES [J].

ABRAM, RA ;

REES, GJ ;

WILSON, BLH .

[2]

BERGGREN KF, 1981, PHYS REV B, V24, P4

[3]

Hedin L., 1970, SOLID STATE PHYS, V23, P1, DOI DOI 10.1016/S0081-1947(08)60615-3

INKSON, JC .

JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, 1976, 9 (07) :1177-1183

LUNDQVIST, BI .

PHYSIK DER KONDENSITERTEN MATERIE, 1967, 6 (03) :206-+

LUNDQVIST, BI .

PHYSIK DER KONDENSITERTEN MATERIE, 1967, 6 (03) :193-+

[7] ENERGY-GAP IN SI AND GE - IMPURITY DEPENDENCE [J].

MAHAN, GD .