GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS

被引：20

作者：

HUNSPERGER, RG ^{[1
]}

HIRSCH, N ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES RES LABS, 3011 MALIBU CANYON RD, MALIBU, CA 90265 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730427

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：577 / 578

页数：2

共 4 条

BAECHTOLD, W .

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