THE EFFECT OF GERMANIUM ION-IMPLANTATION DOSE ON THE AMORPHIZATION AND RECRYSTALLIZATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS

被引：14

作者：

KOMEM, Y ^{[1
]}

HALL, IW ^{[1
]}

机构：

[1] TECHNION,INST SOLID STATE,HAIFA 32000,ISRAEL

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.328658

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：6655 / 6658

页数：4

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共 14 条

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