GROWTH OF GAAS EPITAXIAL LAYERS PREPARED IN THE LABORATORY WITH AN INTEGRATED SAFETY MOCVD SYSTEM

被引：5

作者：

IMAI, T

FUKE, S

MORI, K

KUWAHARA, K

机构：

[1] Shizuoka Univ, Japan

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0169-4332(88)90356-X

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：587 / 593

页数：7

共 5 条

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