IV CHARACTERISTICS OF GAAS-MESFET WITH NONUNIFORM DOPING PROFILE

被引：21

作者：

SHUR, MS ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.19883

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：455 / 461

页数：7

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共 6 条

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