A MODEL FOR COUPLED DOPANT DIFFUSION IN SILICON

被引：8

作者：

COWERN, NEB ^{[1
]}

GODFREY, DJ ^{[1
]}

机构：

[1] GEC RES LTD,HIRST RES CTR,WEMBLEY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1108/eb010302

中图分类号：

TP39 [计算机的应用];

学科分类号：

081203 ; 0835 ;

摘要：

引用

页码：59 / 63

页数：5

共 5 条

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