DOPANT DIFFUSION IN SILICON - A CONSISTENT VIEW INVOLVING NONEQUILIBRIUM DEFECTS

被引:199
作者
MATHIOT, D
PFISTER, JC
机构
关键词
D O I
10.1063/1.332941
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:3518 / 3530
页数:13
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