SURFACE-STATES AT THE NORMAL-GAAS-SIO2 INTERFACE FROM CONDUCTANCE AND CAPACITANCE MEASUREMENTS

被引:24
作者
STREEVER, RL
BRESLIN, JT
AHLSTROM, EH
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(80)90103-3
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:863 / 868
页数:6
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