THE INFLUENCE OF THE THERMAL-EQUILIBRIUM APPROXIMATION ON THE ACCURACY OF CLASSICAL TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL MODELING OF SILICON SUBMICROMETER MOS-TRANSISTORS

被引:97
作者
MEINERZHAGEN, B
ENGL, WL
机构
[1] Inst fuer Theoretische, Elektrotechnik, Aachen, West Ger, Inst fuer Theoretische Elektrotechnik, Aachen, West Ger
关键词
D O I
10.1109/16.2514
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
24
引用
收藏
页码:689 / 697
页数:9
相关论文
共 23 条