SILICON IMPURITY DISTRIBUTION AS REVEALED BY PULSED MOS C-V MEASUREMENTS

被引:99
作者
VANGELDER, W
NICOLLIAN, EH
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2407927
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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