SELENIUM IMPLANTATION IN EPITAXIAL GALLIUM-ARSENIDE LAYERS

被引：5

作者：

INADA, T ^{[1
]}

TOKUNAGA, K ^{[1
]}

TAKA, S ^{[1
]}

YUGE, Y ^{[1
]}

KOHZU, H ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT CO LTD,DIV SEMICOND,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1981年 / 182卷 / APR期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(81)90800-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：709 / 717

页数：9

共 13 条

MULLER, H ;

EISEN, FH ;

MAYER, JW .

SZE, SM ;

IRVIN, JC .

[13] SILICON IMPLANTATION IN GAAS [J].

TANDON, JL ;

NICOLET, MA ;

EISEN, FH .