THEORY OF CAPACITANCE AND CONDUCTANCE BEHAVIOR OF SCHOTTKY-BARRIER AND CONDUCTING M-I-S DIODES WITH INTERFACE TRAPS

被引:18
作者
FONASH, SJ [1 ]
机构
[1] PENN STATE UNIV,DEPT ENGN SCI & MECH,UNIVERSITY PK,PA 16802
关键词
D O I
10.1063/1.324271
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:3953 / 3958
页数:6
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