CONTACT RESISTANCE MEASUREMENTS OF PLATINUM-SILICIDE AND CHROMIUM CONTACTS TO HIGHLY DOPED N-SILICON AND P-SILICON

被引：13

作者：

BOBERG, G

STOLT, L

TOVE, PA

NORDE, H

机构：

来源：

PHYSICA SCRIPTA | 1981年 / 24卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1088/0031-8949/24/2/012

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：405 / 407

页数：3

共 15 条

[11]

POATE JP, 1978, THIN FILM INTERDIFFU, P15

SINHA, AK .

[13] METALLIZATION SYSTEMS FOR SILICON INTEGRATED CIRCUITS [J].

TERRY, LE ;

WILSON, RW .

[14] SLT DEVICE METALLURGY AND ITS MONOLITHIC EXTENSION [J].

TOTTA, PA ;

SOPHER, RP .

[15]

VILMS I, 1969, OHMIC CONTACTS SEMIC, P31