学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
MATHEMATICAL STUDY OF SPACE-CHARGE LAYER CAPACITANCE FOR AN ABRUPT P-N SEMICONDUCTOR JUNCTION
被引:16
作者
:
KENNEDY, DP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV FLORIDA,CTR ELECTRON DEVICE RES,DEPT ELECT ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
UNIV FLORIDA,CTR ELECTRON DEVICE RES,DEPT ELECT ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
KENNEDY, DP
[
1
]
机构
:
[1]
UNIV FLORIDA,CTR ELECTRON DEVICE RES,DEPT ELECT ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1977年
/ 20卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(77)90114-9
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:311 / 319
页数:9
相关论文
共 22 条
[21]
VANDERZIEL A, 1968, SOLID STATE PHYSICS
[22]
INVERSION LAYERS IN ABRUPT P-N JUNCTIONS
VANDEWIELE, F
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
VANDEWIELE, F
DEMOULIN, E
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
DEMOULIN, E
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1970,
13
(06)
: 717
-
+
←
1
2
3
→
共 22 条
[21]
VANDERZIEL A, 1968, SOLID STATE PHYSICS
[22]
INVERSION LAYERS IN ABRUPT P-N JUNCTIONS
VANDEWIELE, F
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
VANDEWIELE, F
DEMOULIN, E
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
DEMOULIN, E
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1970,
13
(06)
: 717
-
+
←
1
2
3
→