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MOBILITY PROFILING OF FET STRUCTURES
被引:12
作者
:
JAY, PR
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JAY, PR
CROSSLEY, I
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CROSSLEY, I
CARDWELL, MJ
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CARDWELL, MJ
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1978年
/ 14卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19780127
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:190 / 191
页数:2
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CALTECH,PASADENA,CA 91109
MULLER, H
EISEN, FH
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CALTECH,PASADENA,CA 91109
EISEN, FH
MAYER, JW
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CALTECH,PASADENA,CA 91109
MAYER, JW
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1975,
122
(05)
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-
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[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1976,
12
(10)
: 240
-
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AC PROFILING BY SCHOTTKY GATED CLOVERLEAF
TANSLEY, TL
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TANSLEY, TL
[J].
JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS,
1975,
8
(01):
: 52
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[1]
BUTLIN RS, 1977, GALLIUM ARSENIDE REL, P237
[2]
CROSSLEY I, 1977, GALLIUM ARSENIDE REL, P289
[3]
ANODIC-OXIDATION OF GAAS AS A TECHNIQUE TO EVALUATE ELECTRICAL CARRIER CONCENTRATION PROFILES
MULLER, H
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MAYER, JW
[J].
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1975,
122
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: 651
-
655
[4]
SIMPLE METHOD OF MEASURING DRIFT-MOBILITY PROFILES IN THIN SEMICONDUCTOR-FILMS
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[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1976,
12
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: 240
-
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[5]
AC PROFILING BY SCHOTTKY GATED CLOVERLEAF
TANSLEY, TL
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机构:
MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND
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[J].
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1975,
8
(01):
: 52
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