INFLUENCE OF DOPING ON THE ETCHING OF SI(111)

被引:89
作者
WINTERS, HF
HAARER, D
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 36卷 / 12期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.36.6613
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:11
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