晶体生长界面相研究

被引：12

作者：

李国华

王大伟

黄志良

机构：

[1] 中南大学资源环境与建筑工程学院!长沙,中南大学资源环境与建筑工程学院!长沙,中南大学资源环境与建筑工程学院!长沙

来源：

人工晶体学报 | 2001年 / 02期

关键词：

界面相; 界面层; 吸附层; 过渡层; 模型;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2001.02.013

中图分类号：

O781 [晶体生长理论];

学科分类号：

摘要：

在分析前人的晶体生长理论时 ,作者认为晶体生长过程中可能存在界面相 ;在分析各种晶体生长现象后认为 ,晶体生长过程中界面相是存在的 ,并起着十分重要的作用 ;通过分析研究 ,将晶体生长过程中的界面相划分为 3个有机的组成部分 :界面层、吸附层和过渡层 ;并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用 ;在此基础上提出了界面相模型。

引用

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页码：171 / 177

页数：7

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