4700V碳化硅PiN整流二极管

被引：12

作者：

陈思哲

盛况

机构：

[1] 浙江大学电气工程学院

来源：

电工技术学报 | 2015年 / 30卷 / 22期

基金：

国家高技术研究发展计划(863计划);

关键词：

4H型碳化硅; 整流二极管; 终端保护; 少子注入;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN313.5 [];

学科分类号：

摘要：

碳化硅Pi N二极管是一种理想的高压二极管器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层参数以及终端结构进行了仿真,提出了优化的器件原胞和终端设计。基于50μm厚、掺杂浓度为1.5×1015cm-3的N型低掺杂外延,制备了电压阻断能力达到4 700V的高压碳化硅整流二极管。制备的器件具有较低的漏电流以及良好的正向导通能力,在100A/cm2的电流导通密度条件下,器件的最低正向导通压降为3.6V。为进一步研制高压大功率碳化硅二极管器件模块提供了良好的基础。

引用

页码：57 / 61

页数：5

共 7 条

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