非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系

被引：1

作者：

王天虎 ^{[1
]}

徐进良 ^{[1
]}

王晓东 ^{[2
]}

机构：

[1] 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室

[2] 华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室

来源：

发光学报 | 2012年 / 33卷 / 06期

关键词：

发光二极管; 内量子效率; 衬底; 温度场;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系。本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究。结果表明:以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应(Efficiency droop)及最高的光谱强度和光电转换效率。这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比,以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降。

引用

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页码：616 / 623

页数：8

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