氢化非晶硅薄膜对C-MOS集成电路的钝化保护作用

被引：2

作者：

何宇亮

孙明浩

薛自

李广根

顾青

机构：

[1] 南京大学物理系

[2] 上海无线电十四厂

来源：

固体电子学研究与进展 | 1989年 / 01期

关键词：

C-MOS; 钝化保护; 抗辐照; 阈值电压; 开启电压; 电路参数; 氧化层电荷; 氢化非晶硅薄膜;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

本文指出,用α-Si∶H膜钝化CH 4081型中规模电路能明显地降低反向漏电流,使场开启电压提高;配对管开启电压匹配良好,从而使动态工作电压由5.0V下降到3.0V。半绝缘性α-Si∶H膜对外界干扰有屏蔽效果,可使C—MOS器件阈值电压的负漂移减小。研究了α-Si∶H钝化膜的抗高能粒子的辐照作用,仅2000～3000（?）厚的α-Si∶H膜能使CH4081电路的抗辐照能力由1010e/cm2提高到大于1012e/cm2（1.2MeV）。钝化后的C—MOS电路自然存放数年后,电路参数基本稳定。

引用

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