常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能

被引：1

作者：

周鹏

王立

方文卿

蒲勇

戴江南

江风益

机构：

[1] 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心南昌,南昌,南昌,南昌,南昌,南昌

来源：

半导体学报 | 2005年 / 03期

关键词：

ZnO; MOCVD; 迁移率; 载流子浓度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂 ZnO单晶薄膜.用 Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析.研究表明:ZnO薄膜浅施主能级为20 4meV,温度较低时,以电离杂质散射为主,温度较高时,以极性光学波散射为主.

引用

页码：502 / 507

页数：6

共 5 条

[1] 衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响 [J].