超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟

被引：20

作者：

叶健松

胡晓君

机构：

[1] 上海交通大学材料科学与工程学院

[2] 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2002年 / 05期

关键词：

超薄膜; Monte Carlo方法; 外延生长; Morse势; 分形;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

用MonteCarlo (MC)方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟 .模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用 ,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程 .研究了粒子间相互作用范围α和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响 .结果表明 :在不同的α值下 ,随粒子行走步数的增加 ,薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程 ;其中α=6时 ,基本观察不到粒子的分散生长过程 ;α值越小且粒子行走步数越小的情况下 ,薄膜越易趋向于分散生长

引用

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