垂直腔面发射激光器中选择性氧化工艺稳定性研究

被引：11

作者：

马建立

郝永芹

钟景昌

赵英杰

李海军

乔忠良

冯源

机构：

[1] 长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室

来源：

中国激光 | 2007年 / 08期

关键词：

激光技术; 垂直腔面发射激光器; 选择性氧化; 氧化速率; 环形分布孔结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

选择性氧化工艺已经成为制备高性能垂直腔面发射激光器(VCSEL)的关键技术,氧化后形成的氧化层提供了良好的电限制和折射率导引,但选择性氧化速率是呈线性规律还是抛物线规律仍存在很大的争议.在多种温度条件下,做了环形沟槽和环形分布孔的氧化实验,这是在垂直腔面发射激光器中采用的两种结构.实验结果表明,氧化窗口形状对氧化速率的影响也依赖温度条件,并对这种实验现象给出了定性解释.

引用

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