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纳米硅二极管的独特性能
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
何宇亮
机构
:
[1]
南京大学物理系江苏南京
来源
:
微纳电子技术
|
2002年
/ 01期
关键词
:
纳米硅薄膜;
异质结;
二极管;
D O I
:
10.13250/j.cnki.wndz.2002.01.009
中图分类号
:
TN31 [半导体二极管];
学科分类号
:
摘要
:
摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。
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