纳米硅二极管的独特性能

被引:2
作者
何宇亮
机构
[1] 南京大学物理系江苏南京
关键词
纳米硅薄膜; 异质结; 二极管;
D O I
10.13250/j.cnki.wndz.2002.01.009
中图分类号
TN31 [半导体二极管];
学科分类号
摘要
摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。
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