读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响

被引：8

作者：

谢珩

梁宗久

杨雅茹

机构：

[1] 华北光电技术研究所

来源：

关键词：

红外探测器; 读出电路; 打底层; 铟柱;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层(UBM)形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺寸成反比,并提出了进一步增加铟球高度的思路。

引用

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页数：4

共 4 条

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