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四探针技术测量薄层电阻的原理及应用
被引:54
作者
:
刘新福
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机构:
河北工业大学微电子技术研究所
刘新福
孙以材
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河北工业大学微电子技术研究所
孙以材
刘东升
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机构:
河北工业大学微电子技术研究所
刘东升
机构
:
[1]
河北工业大学微电子技术研究所
[2]
河北工业大学微电子技术研究所 天津
[3]
天津
来源
:
半导体技术
|
2004年
/ 07期
基金
:
天津市自然科学基金;
关键词
:
四探针技术;
薄层电阻;
测试技术;
D O I
:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2004.07.013
中图分类号
:
TN304.07 [];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。
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[1]
双电测组合法测试半导体电阻率的研究
[J].
宿昌厚
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2003,
(03)
:298
-306
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电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性
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.
半导体技术,
2000,
(05)
:38
-41
[3]
四探针测试技术中边缘修正的有关方法
[J].
石俊生
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孙以材
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1997,
(01)
:35
-42
[4]
在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析
[J].
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(12)
:1869
-1878
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用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻
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张林在
.
物理学报,
1994,
(04)
:530
-539
[6]
现代微电子技术.[M].吴德馨等编著;.化学工业出版社.2002,
[7]
半导体测试技术.[M].孙以材 编著.冶金工业出版社.1984,
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共 7 条
[1]
双电测组合法测试半导体电阻率的研究
[J].
宿昌厚
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
宿昌厚
;
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鲁效明
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2003,
(03)
:298
-306
[2]
电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性
[J].
孙以材
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2000,
(05)
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[3]
四探针测试技术中边缘修正的有关方法
[J].
石俊生
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机构:
云南师范大学物理系
石俊生
;
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.
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1997,
(01)
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[4]
在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析
[J].
孙以材
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石俊生
.
物理学报,
1995,
(12)
:1869
-1878
[5]
用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻
[J].
孙以材
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机构:
河北工学院电子工程系
孙以材
;
张林在
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机构:
河北工学院电子工程系
张林在
.
物理学报,
1994,
(04)
:530
-539
[6]
现代微电子技术.[M].吴德馨等编著;.化学工业出版社.2002,
[7]
半导体测试技术.[M].孙以材 编著.冶金工业出版社.1984,
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