四探针技术测量薄层电阻的原理及应用

被引:54
作者
刘新福
孙以材
刘东升
机构
[1] 河北工业大学微电子技术研究所
[2] 河北工业大学微电子技术研究所 天津
[3] 天津
基金
天津市自然科学基金;
关键词
四探针技术; 薄层电阻; 测试技术;
D O I
10.13290/j.cnki.bdtjs.2004.07.013
中图分类号
TN304.07 [];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。
引用
收藏
页码:48 / 52
页数:5
相关论文
共 7 条
[1]   双电测组合法测试半导体电阻率的研究 [J].
宿昌厚 ;
鲁效明 .
半导体学报, 2003, (03) :298-306
[2]   电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性 [J].
孙以材 ;
范兆书 ;
孙新宇 ;
宁秋凤 .
半导体技术, 2000, (05) :38-41
[3]   四探针测试技术中边缘修正的有关方法 [J].
石俊生 ;
孙以材 .
半导体杂志, 1997, (01) :35-42
[4]   在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析 [J].
孙以材 ;
石俊生 .
物理学报, 1995, (12) :1869-1878
[5]   用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻 [J].
孙以材 ;
张林在 .
物理学报, 1994, (04) :530-539
[6]  
现代微电子技术.[M].吴德馨等编著;.化学工业出版社.2002,
[7]  
半导体测试技术.[M].孙以材 编著.冶金工业出版社.1984,