超大数值孔径光刻中掩模保护膜优化及偏振像差研究

被引：7

作者：

周远 ^{[1
,2
]}

李艳秋 ^{[3
]}

刘光灿 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 长沙学院电子与通信工程系

[2] 长沙学院光电信息技术创新团队

[3] 北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室(筹)

来源：

中国激光 | 2011年 / 38卷 / 04期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

成像系统; 偏振像差; 超大数值孔径光刻; 掩模保护膜; 琼斯矩阵方法; 薄膜光学;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

超大数值孔径(NA)光刻成像中,掩模保护膜上的入射光线入射角范围增大,用传统方法优化掩模保护膜难以增大斜入射光的透射率。基于薄膜光学原理提出一种新的掩模保护膜优化方法,确保光线在整个入射角范围内的平均透射率最大。利用琼斯矩阵方法探讨膜层的透射属性和相位特征,得到相应的琼斯光瞳来分析膜层带来的偏振像差。结果表明,对比传统的掩模保护膜优化方法,新方法能有效提高斜入射光线的透射率,减小膜层引起的偏振像差。新的掩模保护膜优化方法能为超大NA光刻成像的掩模保护膜设置提供必要的理论基础和技术支撑。

引用

页码：177 / 182

页数：6

共 5 条

[1] 双液体层消色差氩氟浸没干涉光刻性能分析 [J].