脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

被引：7

作者：

朱杰 ^{[1
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谢康 ^{[1
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张辉 ^{[2
]}

胡俊涛 ^{[2
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张鹏翔 ^{[2
]}

机构：

[1] 电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室

[2] 昆明理工大学光电子新材料研究所

来源：

中国激光 | 2008年 / 09期

关键词：

薄膜; 铁电薄膜; 薄膜取向; 脉冲激光沉积; X射线衍射; 原子力显微镜;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过量10%的两种靶材,并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含量对薄膜生长取向的影响。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌。XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜生长从550℃近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似c轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果。

引用

页码：1384 / 1387

页数：4

共 17 条

[1] PLD制备铁电薄膜工艺参数的研究现状 [J].