结区的温度,简称结温,是发光二极管(LED)的重要参数之一,它对LED器件的出光效率、光色、器件可靠性和寿命均有很大影响,准确测量LED器件的结温对制备LED芯片、器件封装和应用有着重要的意义.本文利用反向偏压下的LED的势垒电容随温度变化的特性,提出了一种LED结温测量的新方法.论文首先测量和分析了LED在室温下反向偏压时的电容-电压(C-V)曲线和不同反向偏压下的电容-温度(C-T)曲线,结果表明,在合适的偏压下,LED的电容随温度的增大而显著增加,并呈现良好的线性关系.在LED工作中监测其电容的变化,并与C-T曲线进行对比,实现了LED结温的测量,其测量结果和传统的正向电压法的结果相对比,两者符合较好.最后,利用上述方法测量了LED在恒流和恒压条件下的结温的实时变化过程.较传统的结温测量方法,本方法的优点在于只须要一次定标测量,且可实现LED在任意电压和电流下的结温测量.