脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算

被引：2

作者：

白晓

林国强

董闯

不详

机构：

[1] 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

[2] 中国科学院金属研究所大连

[3] 大连

[4] 沈阳

来源：

金属学报 | 2004年 / 10期

关键词：

电弧离子镀; 脉冲偏压; 沉积温度; 计算;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG174 [腐蚀的控制与防护];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

针对脉冲偏压电弧离子镀技术,分析了影响基体沉积温度的各项因素及其影响程度.在直流偏压电弧离子镀沉积温度计算模型的基础上,在偏压输出波形为近方波的相对规范形状的条件下,将脉冲离子轰击输入能量功率等效成直流输入功率与占空比的乘积,再基于能量平衡原理建立脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的理论计算模型,最后用实测的沉积温度对计算模型进行检验,在-1000-0 V的偏压范围内,理论与实验得到了好的吻合.

引用

页码：1069 / 1073

页数：5

共 4 条

[1] 偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理 [J].