高功率密度IGBT模块的研发与特性分析

被引：10

作者：

刘国友

覃荣震

黄建伟

Ian Deviny

罗海辉

Rupert Stevens

吴义伯

机构：

[1] 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心

来源：

机车电传动 | 2014年 / 02期

关键词：

绝缘栅双极晶体管; 芯片; 模块; 高功率密度; 功耗; 散热; 特性分析; 轨道交通;

D O I：

10.13890/j.issn.1000-128x.2014.02.030

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。

引用

页码：6 / 11

页数：6

共 6 条

[1]

轨道交通用IGBT模块互连技术及其发展趋势 [J].

覃荣震 ;

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机车电传动, 2013, (03) :1-5

[2]

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[3]

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