4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试

被引：8

作者：

何骏伟 ^{[1
]}

陈思哲 ^{[1
]}

任娜 ^{[1
]}

柏松 ^{[2
]}

陶永洪 ^{[2
]}

刘奥 ^{[2
]}

盛况 ^{[1
]}

机构：

[1] 浙江大学电气工程学院

[2] 南京电子器件研究所

来源：

电工技术学报 | 2015年 / 30卷 / 17期

关键词：

碳化硅; 肖特基势垒二极管; 结型场效应晶体管; 功率模块;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN311.7 []; TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。

引用

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页数：7

共 7 条

[1]

Design consideration and fabrication of 1.2-kV 4H-SiC trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistors [J].