双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

被引：27

作者：

柴常春

席晓文

任兴荣

杨银堂

马振洋

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 11期

关键词：

双极晶体管; 强电磁脉冲; 器件损伤; 损伤功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.

引用

页码：8118 / 8124

页数：7

共 5 条

[1] 硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理 [J].