垂直腔面发射激光器的热学特性

被引：7

作者：

侯识华

赵鼎

孙永伟

徐云

谭满清

陈良惠

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所,中国科学院电子学研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京,北京,北京,北京,北京,北京

来源：

半导体学报 | 2005年 / 04期

关键词：

垂直腔面发射激光器; 晶片键合; 高温中心; 热学特性; 有限差分法;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电流密度小于或等于阈值电流密度时,晶片键合结构垂直腔面发射激光器的键合界面阻抗、氧化层限制孔径、外加电压以及分布布拉格反射镜的热导率的大小对VCSEL内部温度分布的影响.

引用

页码：805 / 811

页数：7

共 5 条

[1] VCSEL稳态热特性分析 [J].