寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究

被引：95

作者：

巴腾飞

李艳

梁美

机构：

[1] 北京交通大学电气工程学院

来源：

电工技术学报 | 2016年 / 31卷 / 13期

关键词：

SiC MOSFET; 寄生参数; 开关模型; 栅源极电压;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。

引用

页码：64 / 73

页数：10

共 9 条

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