单台面二极管晶圆红外激光划片工艺研究

被引：1

作者：

王中 ^{[1
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何里 ^{[2
]}

谢云辉 ^{[1
]}

谭波 ^{[1
]}

卢飞星 ^{[2
]}

机构：

[1] 华中科技大学激光加工国家工程研究中心

[2] 武汉华工激光工程有限责任公司

来源：

中国激光 | 2011年 / 38卷 / 02期

关键词：

光学制造; 激光技术; 单台面二极管晶圆; 红外激光划片; 脉冲光纤激光器; 去除深度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用];

学科分类号：

摘要：

在单台面二极管晶圆的制备中,刀具划片存在速度慢、芯片崩边率高等问题。激光划片为非接触加工,成品率高。根据晶体硅的性质,对激光划片方向进行了讨论,分析了红外激光对硅片的作用机理。根据一维热传导方程导出的近似解析解,计算了功率和扫描速度影响下的去除深度。使用1064 nm脉冲光纤激光器完成了7.62 cm晶圆的激光划片,获得了崩边率小于1%,电性能合格率达到100%的样品。研究表明,去除深度影响芯片的崩边率,离焦量影响芯片的电性能。控制去除深度和离焦量进行划片会获得很高的良品率。

引用

页码：94 / 98

页数：5

共 9 条

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