基于二次规划的光刻机光源优化方法

被引：10

作者：

闫观勇 ^{[1
,2
]}

李思坤 ^{[1
]}

王向朝 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室

[2] 中国科学院大学

来源：

光学学报 | 2014年 / 34卷 / 10期

关键词：

光学设计; 光刻; 分辨率增强; 光源掩模优化; 光源优化; 二次规划; 全局最优解;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

提出一种基于二次规划的光刻机光源优化方法。采用空间像与目标像的图形误差为目标函数,根据空间像强度与不同位置的点光源之间的线性关系,将光源优化转换成二次规划问题。将掩模图形区域分成限制区域和比较区域,对限制区域应用约束条件,对比较区域采用目标函数优化。采用一维孤立空图形和二维接触孔阵列图形对该方法进行验证,分析光刻胶阈值和离焦量对优化结果的影响。仿真表明,提出的光源优化方法获得了光源的全局最优解,提高了光刻成像质量,增大了工艺窗口。

引用

页码：257 / 264

页数：8

共 7 条

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