反应烧结碳化硅多相陶瓷制备方法研究进展附视频

被引：10

作者：

郝寅雷

赵文兴

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究生部!吉林长春

来源：

材料科学与工艺 | 2000年 / 04期

关键词：

反应烧结; 碳化硅; 制备方法; 进展;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.75 [工业用陶瓷];

学科分类号：

摘要：

介绍了反应烧结碳化硅制备过程及其烧结机理 ,对这种工艺的特点进行了概括总结 ,并对这种陶瓷制备技术的研究进展进行了评述 .

引用

页码：86 / 89

页数：4

共 8 条

[1] 反应烧结碳化硅的显微组织 [J].

黄清伟 ;

金志浩 ;

高积强 ;

王永兰 .

西安交通大学学报, 2000, (02) :91-93+101

[2] 添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响 [J].

吕振林 ;

高积强 ;

王红洁 ;

金志浩 ;

不详 .

西安交通大学学报 , 2000, (02) :94-96

[3] 反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究 [J].

吕振林 ;

高积强 ;

王红洁 ;

金志浩 .

硅酸盐通报, 1999, (05) :51-54

[4] 用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨 [J].

胡冬，夏非，关振铎 .

硅酸盐学报, 1996, (03) :347-351

[5] RB－SiC／MoSi2复合材料的界面特征 [J].

胡冬昉，黄汉铨，黄建宇，夏非 .

金属学报, 1995, (15) :135-138

[6] 聚合物热解-反应烧结 SiC 的制备 [J].

曲哲 ;

杨永进 ;

马立新 ;

苏国跃 .

材料科学进展, 1992, (05) :419-422

[7] 反应烧结碳化硅陶瓷材料的研究 [J].

江东亮 ;

潘振甦 ;

李雨林 ;

黄玉珍 .

无机材料学报, 1988, (02) :130-138

[8]

Corrosionbe haviorofinfiltratedreactionsinteredsiliconcarbide .2 ReddyNK,MulayVN,JallelMA. JMaterSciLett . 1994

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