SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究

被引：7

作者：

杜立群 ^{[1
]}

秦江 ^{[1
]}

刘冲 ^{[1
]}

朱神渺 ^{[2
]}

李园园 ^{[1
]}

机构：

[1] 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室

[2] 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室

来源：

光学精密工程 | 2007年 / 04期

关键词：

SU-8胶; 菲涅耳衍射; 紫外光刻; 尺寸精度; MATLAB;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型,预测微结构的尺寸,分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较,以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验分四组,实验中掩模的特征宽度分别取50μm、100μm、200μm和400μm,SU-8胶表面的曝光剂量取400 mJ/cm2。用扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度,用MATLAB软件对紫外曝光过程中SU-8胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟,数值模拟结果与实验结果基本吻合。数值模拟结果为进一步的实验研究提供了光刻参数的参考值。

引用

页码：447 / 452

页数：6

共 9 条

[1] 模糊神经网络在UV-LIGA工艺优化中的应用 [J].