沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

被引：3

作者：

王辉 ^{[1
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蔺家骏 ^{[1
]}

何锦强 ^{[1
]}

廖永力 ^{[2
]}

李盛涛 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

[2] 南方电网科学研究院有限责任公司

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 22期

关键词：

ZnO压敏陶瓷; 缺陷结构; 沉淀剂; 介电性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM282 [压电陶瓷材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感.由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入.

引用

页码：337 / 343

页数：7

共 10 条

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