SOI高温压力传感器的研究现状

被引：9

作者：

张书玉

张维连

张生才

姚素英

机构：

[1] 河北工业大学半导体材料研究所

[2] 天津大学微电子研究所

[3] 天津大学微电子研究所天津

[4] 天津

来源：

河北工业大学学报 | 2005年 / 02期

关键词：

压力传感器; SOI; SiO2层; 各向异性腐蚀; 硅片直接键合; 硅单晶片;

D O I：

10.14081/j.cnki.hgdxb.2005.02.004

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.

引用

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页数：6

共 8 条

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