LATTICE SITE LOCATION OF CADMIUM AND TELLURIUM IMPLANTED IN GALLIUM-ARSENIDE

被引：22

作者：

TAKAI, M ^{[1
]}

GAMO, K ^{[1
]}

MASUDA, K ^{[1
]}

NAMBA, S ^{[1
]}

机构：

[1] OSAKA UNIV,FAC ENGN SCI,DEPT ELECT ENGN,OSAKA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.1935

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1935 / 1941

页数：7

共 15 条

[11]

ITOH T, 1971, ION IMPLANTATION SEM, P168

[12]

Morgan D.V., 1973, CHANNELING THEORY OB

[13]

PICRAUX ST, 1973, ION IMPLANTATION SEM, P641

TAKAI, M ;

GAMO, K ;

MASUDA, K ;

NAMBA, S .

[15] GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY ION-IMPLANTATION [J].

WELCH, BM ;

EISEN, FH ;

HIGGINS, JA .